Politechnika Warszawska - Centralny System Uwierzytelniania
Nie jesteś zalogowany | zaloguj się
katalog przedmiotów - pomoc

Podstawy przyrządów półprzewodnikowych

Informacje ogólne

Kod przedmiotu: 103A-ELxxx-ISP-PPP Kod Erasmus / ISCED: (brak danych) / (brak danych)
Nazwa przedmiotu: Podstawy przyrządów półprzewodnikowych
Jednostka: Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych
Grupy: ( Fizyka )-Elektronika-inż.-EITI
( Przedmioty podstawowe )-Systemy elektroniczne i wbudowane-mgr.-EITI
( Przedmioty podstawowe obowiązkowe )-Systemy zintegrowanej elektroniki i fotoniki-mgr.-EITI
( Przedmioty techniczne )---EITI
Punkty ECTS i inne: 2.00
Język prowadzenia: polski
Jednostka decyzyjna:

103000 - Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

Kod wydziałowy:

PPP

Numer wersji:

1

Skrócony opis:

Celem przedmiotu jest zapoznanie studentów z działaniem i zastosowaniem powszechnie stosowanych przyrządów półprzewodnikowych oraz z trendami rozwojowymi elektroniki półprzewodnikowej, a także nauczenie ich podstaw doboru przyrządów do określonego zastosowania na podstawie parametrów użytkowych podanych w kartach katalogowych.

Pełny opis:

Opis wykładu:

  1. Dioda: Charakterystyki statyczne diod – przypomnienie. Model złącza p-n dla symulacji komputerowych. Praca małosygnałowa, pojemność złączowa i dyfuzyjna, elektryczne układy zastępcze. Praca wielkosygnałowa – porównanie złącza p-n i diody Schottky’ego. Rodzaje diod półprzewodnikowych, ich zastosowania i parametry użytkowe. (4h)
  2. Elementy technologii układów scalonych: Technologia epiplanarna, operacje standardowych procesów wytwarzania monolitycznych układów scalonych. (2h)
  3. Tranzystor bipolarny: Proste zastosowania (wzmacniacz), struktura, zasada działania, układy pracy, stany pracy. Praca statyczna – charakterystyki statyczne, przebicia. Model tranzystora dla symulacji komputerowych. Praca małosygnałowa – układ zastępczy, częstotliwości graniczne. Zastosowania, parametry użytkowe. Ograniczenia fizyczne i konstrukcyjne tranzystora bipolarnego. Krzemowy tranzystor HBT z bazą krzemogermanową. Inne tranzystory HBT. (8h)
  4. Tranzystor polowy MOS: proste zastosowania (inwerter, bramki logiczne), struktura, zasada działania. Praca statyczna: charakterystyki statyczne, zakresy pracy, napięcie progowe, inne parametry użytkowe. Model tranzystora dla symulacji komputerowych. Praca małosygnałowa: układ zastępczy, parametry dynamiczne. Praca wielkosygnałowa: inwerter CMOS. Reguły skalowania i ich konsekwencje. Tranzystor MOS jako czujnik. Ewolucja technologii CMOS. Technologia SOI CMOS jako perspektywa dla układów ULSI niskomocowych i niskonapięciowych: Wielobramkowe tranzystory MOS SOI. Mikrosystemy (8h)
  5. Komórki pamięci półprzewodnikowych: klasyfikacja. Komórka pamięci dynamicznej DRAM, technologie "trench" i "stacked". komórki pamięci nieulotnych EPROM, EEPROM, flash EEPROM: struktura fizyczna, zasada działania, podstawowe właściwości, stan aktualny na rynku. (2h)
  6. Inne tranzystory polowe: ze złączem p-n, z barierą Schottky'ego, tranzystor HEMT. Struktura fizyczna, rola poszczególnych obszarów, zasada działania, charakterystyki statyczne, zastosowania. (2h)
  7. Półprzewodnikowe przyrządy mocy: tranzystor mocy: bipolarny i MOS. Tyrystor. Nowoczesne konstrukcje półprzewodnikowych przyrządów mocy. Proste zastosowania i parametry użytkowe (2h)
  8. Dwa pisemne kolokwia (2h)
Literatura:

Literatura podstawowa:

  • S. M. Sze, K. Ng, “Physics of semiconductor devices”, John Wiley & Sons Inc. Hoboken, New Jersey, 2007.
  • Chenming Calvin Hu, “Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits”, 2010. (https://people.eecs.berkeley.edu/~hu/Book-Chapters-and-Lecture-Slidesdownload.html)
  • J. Hennel, „Podstawy elektroniki półprzewodnikowej”, WNT, Warszawa, 2003.
Metody i kryteria oceniania:

Sprawdzanie założonych efektów kształcenia realizowane jest przez:

  • ocenę wiedzy i umiejętności w trakcie pisemnych kolokwiów wykładowych (pytania o charakterze teoretycznym i problemy rachunkowe, w niektórych przypadkach student może korzystać z dozwolonych materiałów pomocniczych, np. kart wzorów), pytania kolokwialne mogą dotyczyć zagadnień, które studenci mają opracować na podstawie literatury zaproponowanej przez prowadzącego;
  • formatywną ocenę związaną z rozwiązaniem problemów podanych przez prowadzącego, a także z interaktywną formą prowadzenia wykładów;
  • ocenę ewentualnego sprawdzianu ustnego w przypadku wątpliwości co do oceny.

Zajęcia w cyklu "rok akademicki 2021/2022 - sem. zimowy" (w trakcie)

Okres: 2021-10-01 - 2022-02-22
Wybrany podział planu:


powiększ
zobacz plan zajęć
Typ zajęć: Wykład, 30 godzin, 20 miejsc więcej informacji
Koordynatorzy: Lidia Łukasiak
Prowadzący grup: Lidia Łukasiak
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Ocena łączna
Jednostka realizująca:

103500 - Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

Zajęcia w cyklu "rok akademicki 2020/2021 - sem. letni" (zakończony)

Okres: 2021-02-20 - 2021-09-30
Wybrany podział planu:


powiększ
zobacz plan zajęć
Typ zajęć: Wykład, 30 godzin, 150 miejsc więcej informacji
Koordynatorzy: Lidia Łukasiak
Prowadzący grup: Lidia Łukasiak
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Ocena łączna
Jednostka realizująca:

103500 - Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

Opisy przedmiotów w USOS i USOSweb są chronione prawem autorskim.
Właścicielem praw autorskich jest Politechnika Warszawska.