Zaawansowane struktury półprzewodnikowe
Informacje ogólne
Kod przedmiotu: | 103A-ELxxx-MSP-ZSP | ||||||||
Kod Erasmus / ISCED: | (brak danych) / (brak danych) | ||||||||
Nazwa przedmiotu: | Zaawansowane struktury półprzewodnikowe | ||||||||
Jednostka: | Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych | ||||||||
Grupy: |
( Fotonika i nanoelektronika )-Mikroelektronika, fotonika i nanotechnologie-mgr.-EITI ( Przedmioty techniczne )---EITI ( Przedmioty zaawansowane techniczne )--mgr.-EITI |
||||||||
Punkty ECTS i inne: |
4.00
|
||||||||
Język prowadzenia: | polski | ||||||||
Jednostka decyzyjna: | 103000 - Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych |
||||||||
Kod wydziałowy: | ZSP |
||||||||
Numer wersji: | 1 |
||||||||
Skrócony opis: |
Wykład jest poświęcony zaawansowanym przyrządom półprzewodnikowymi (np. tranzystory wielobramkowe MOS, heterozłączowe tranzystory bipolarne, przyrządy kwantowe) oraz materiałom stosowanym w takich przyrządach (np. krzemogerman, węglik krzemu, związki AIIIBV, grafen). Zawiera również omówienie obecnych tendencji rozwojowych mikro- i nanoelektroniki. Efekty kształcenia: zrozumienie zasady działania zaawansowanych przyrządów półprzewodnikowych oraz ich zalet w porównaniu z przyrządami klasycznymi, zrozumienie tendencji rozwojowych mikro- i nanoelektroniki, zrozumienie wpływu parametrów materiałowo-konstrukcyjnych na działanie takich przyrządów. |
||||||||
Pełny opis: |
Wykład jest poświęcony zaawansowanym przyrządom półprzewodnikowymi (np. tranzystory wielobramkowe MOS, heterozłączowe tranzystory bipolarne, przyrządy kwantowe) oraz materiałom stosowanym w takich przyrządach (np. krzemogerman, węglik krzemu, związki AIIIBV, grafen). Zawiera również omówienie obecnych tendencji rozwojowych mikro- i nanoelektroniki. Efekty kształcenia: zrozumienie zasady działania zaawansowanych przyrządów półprzewodnikowych oraz ich zalet w porównaniu z przyrządami klasycznymi, zrozumienie tendencji rozwojowych mikro- i nanoelektroniki, zrozumienie wpływu parametrów materiałowo-konstrukcyjnych na działanie takich przyrządów.
Zakres projektu Będą to indywidualne problemy projektowania przyrządów i procesów technologicznych. Ich realizacja będzie wymagała skorzystania z literatury źródłowej i rozwiązania konkretnego zadania. Przykłady:
Poprzedniki
|
||||||||
Literatura: |
|
||||||||
Metody i kryteria oceniania: |
Zaliczenie przedmiotu składa się z dwóch etapów, tj. projektu oraz egzaminu. W sumie można uzyskać 100p (40p - projekt, 60p - egzamin). Do zaliczenia przedmiotu wymagane jest uzyskanie przynajmniej 51 p. Projekt umożliwia weryfikację zrozumienia wpływu parametrów materiałowo-konstrukcyjnych na działanie projektowanego przyrządu, egzamin umożliwia weryfikację zrozumienia zasad działania zaawansowanych przyrządów półprzewodnikowych oraz ich zalet w porównaniu z przyrządami klasycznymi, a także zrozumienia tendencji rozwojowych mikroelektroniki i nanoelektroniki. |
Zajęcia w cyklu "rok akademicki 2019/2020 - sem. letni" (zakończony)
Okres: | 2020-02-22 - 2020-09-30 |
Przejdź do planu
PN WT ŚR PRO
CZ PT WYK
|
Typ zajęć: |
Projekt, 15 godzin, 30 miejsc
Wykład, 30 godzin, 30 miejsc
|
|
Koordynatorzy: | Lidia Łukasiak, Tomasz Skotnicki | |
Prowadzący grup: | Lidia Łukasiak, Tomasz Skotnicki | |
Lista studentów: | (nie masz dostępu) | |
Zaliczenie: | Egzamin | |
Jednostka realizująca: | 103500 - Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki |
Zajęcia w cyklu "rok akademicki 2018/2019 - sem. letni" (zakończony)
Okres: | 2019-02-18 - 2019-09-30 |
Przejdź do planu
PN WT ŚR PRO
CZ PT WYK
|
Typ zajęć: |
Projekt, 15 godzin, 30 miejsc
Wykład, 30 godzin, 30 miejsc
|
|
Koordynatorzy: | Lidia Łukasiak, Tomasz Skotnicki | |
Prowadzący grup: | Lidia Łukasiak, Tomasz Skotnicki | |
Lista studentów: | (nie masz dostępu) | |
Zaliczenie: | Egzamin | |
Jednostka realizująca: | 103500 - Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki |
Właścicielem praw autorskich jest Politechnika Warszawska.