Politechnika Warszawska - Centralny System UwierzytelnianiaNie jesteś zalogowany | zaloguj się
katalog przedmiotów - pomoc

Elementy elektroniczne

Informacje ogólne

Kod przedmiotu: 103A-TLxxx-ISP-ELET Kod Erasmus / ISCED: (brak danych) / (brak danych)
Nazwa przedmiotu: Elementy elektroniczne
Jednostka: Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych
Grupy: ( Podstawy elektroniki )-Telekomunikacja-inż.-EITI
( Przedmioty techniczne )---EITI
Punkty ECTS i inne: 2.00
Język prowadzenia: polski
Jednostka decyzyjna:

103000 - Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

Kod wydziałowy:

ELET

Numer wersji:

1

Skrócony opis:

Celem przedmiotu jest zapoznanie studentów kierunku (także praktyczne) z właściwościami (i ograniczeniami) podstawowych elementów elektronicznych stosowanych w układach i urządzeniach telekomunikacyjnych i multimedialnych.

Pełny opis:

Celem przedmiotu jest zapoznanie studentów kierunku (także praktyczne) z właściwościami (i ograniczeniami) podstawowych elementów elektronicznych stosowanych w układach i urządzeniach telekomunikacyjnych i multimedialnych.



Treść wykładu

  • Wprowadzenie. Wymagania stawiane współczesnym przyrządom mikroelektronicznym i optoelektronicznym. (2 godz.)
  • Podstawowe właściwości styku metal-półprzewodnik i złącza p-n (kontakt omowy, dioda z barierą Schottky'ego; charakterystyka prądowo-napięciowa złącza p-n i jej zależność od temperatury, parametry dynamiczne; zastosowania diod: prostowanie, stabilizacja napięcia, detekcja, przełączanie). (3 godz.)
  • Półprzewodnikowe przyrządy fotoniki (diody świecące, lasery półprzewodnikowe, ogniwa fotowoltaiczne, transoptory). (1 godz.)
  • Tranzystory bipolarne (zasada działania, stany pracy, konfiguracje pracy, charakterystyki statyczne, zakres bezpiecznej pracy, podstawowe modele, podstawowe parametry stałoprądowe i małosygnałowe, częstotliwości graniczne, przykłady zastosowań). (2 godz.)
  • Tranzystory polowe MOSFET (zasada działania, charakterystyki statyczne, podstawowe modele, podstawowe parametry stałoprądowe i małosygnałowe). Inwerter i bramki CMOS. Pamięci półprzewodnikowe. (5 godz.)
  • Podstawy konstrukcji elementów MEMS (czujniki przyspieszenia i ciśnienia, żyroskopy). Wybrane współczesne elementy bierne rzeczywiste (konstrukcje, obudowy, parametry). (2 godz.)



Zakres laboratorium

Program laboratoriów obejmuje pięć trzygodzinnych ćwiczeń z następującej tematyki:

  • półprzewodnikowe przyrządy fotoniki (fotorezystor, fotodioda, LED, transoptor);
  • diody półprzewodnikowe (właściwości statyczne i dynamiczne, różne zastosowania);
  • tranzystory bipolarne (charakterystyki statyczne, parametry małosygnałowe);
  • tranzystory MOSFET (charakterystyki i parametry statyczne); inwerter CMOS i bramki logiczne;
  • wpływ temperatury na działanie elementów półprzewodnikowych.
Literatura:

  1. Materiały przygotowane przez wykładowcę oraz materiały do laboratoriów dostępne na stronie przedmiotu.
  2. Program do symulacji układowej typu PSPICE.
  3. Chenming Calvin Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, 2010. (https://people.eecs.berkeley.edu/~hu/Book-Chapters-and-Lecture-Slides-download.html)
  4. S.M. Sze Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, 2007.
  5. J. Hennel, "Podstawy elektroniki półprzewodnikowej”, WNT, Warszawa, 1991.

Zajęcia w cyklu "rok akademicki 2020/2021 - sem. zimowy" (jeszcze nie rozpoczęty)

Okres: 2020-10-01 - 2021-02-19
Wybrany podział planu:


powiększ
zobacz plan zajęć
Typ zajęć: Laboratorium, 15 godzin, 150 miejsc więcej informacji
Wykład, 15 godzin, 150 miejsc więcej informacji
Koordynatorzy: (brak danych)
Prowadzący grup: (brak danych)
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Ocena łączna
Jednostka realizująca:

103500 - Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

Opisy przedmiotów w USOS i USOSweb są chronione prawem autorskim.
Właścicielem praw autorskich jest Politechnika Warszawska.